ВОДОРОДНО-ЭЛЕКТРОННАЯ МОДЕЛЬ НАКОПЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ОКИСЕЛПОЛУПРОВОДНИК ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
14 сентября 2018
433
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | СОГОЯН А.В.1, ЧЕРЕПКО С.В.1, ПЕРШЕНКОВ В.С. |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=21148568 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0544-1269
АННОТАЦИЯ:
Представлены результаты экспериментального исследования кинетики послерадиационного образования поверхностных состояний в МОП-структуре в среде молекулярного водорода в различных полевых режимах. Установлено, что важным элементом процесса накопления радиационно-индуцированных поверхностных состояний является взаимодействие водородосодержащих комплексов с электронами подложки. Полученные данные позволяют рассматривать “водородную” и конверсионную концепции с позиции единой водородно-электронной модели встраивания поверхностных состояний. В рамках предлагаемого подхода для образования поверхностных состояний необходимо как наличие у границы оксидкремний положительно заряженных водородосодержащих комплексов, так и взаимодействие этих комплексов с электронами из подложки. Оба компонента могут являться фактором, ограничивающим скорость образования поверхностных состояний в конкретных условиях.
ПодробнееМИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Издательство: Академический научно-издательский, производственно-полиграфический и книгораспространительский центр Российской академии наук "Издательство "Наука" (Москва)
ISSN: 0544-1269
АННОТАЦИЯ:
Представлены результаты экспериментального исследования кинетики послерадиационного образования поверхностных состояний в МОП-структуре в среде молекулярного водорода в различных полевых режимах. Установлено, что важным элементом процесса накопления радиационно-индуцированных поверхностных состояний является взаимодействие водородосодержащих комплексов с электронами подложки. Полученные данные позволяют рассматривать “водородную” и конверсионную концепции с позиции единой водородно-электронной модели встраивания поверхностных состояний. В рамках предлагаемого подхода для образования поверхностных состояний необходимо как наличие у границы оксидкремний положительно заряженных водородосодержащих комплексов, так и взаимодействие этих комплексов с электронами из подложки. Оба компонента могут являться фактором, ограничивающим скорость образования поверхностных состояний в конкретных условиях.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.