ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО МЕТОДА ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФАКТОРА ФАНО В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРАХ
14 сентября 2018
281
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | САМЕДОВ В.В. |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=21148590 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ЯДЕРНАЯ ФИЗИКА И ИНЖИНИРИНГ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2079-5629
АННОТАЦИЯ:
Полупроводниковые детекторы широко используются как в фундаментальных научных исследованиях, так и в прикладных науках. Фундаментальный предел энергетического разрешения полупроводникового детектора определяется фактором Фано, который является основной характеристикой полупроводникового материала. В настоящее время, все существующие экспериментальные методы определения Фактора Фано в полупроводниках основаны на вычитании вклада шумов электронного тракта из ширины линии регистрируемого моноэнергетического излучения. В настоящей работе предложен новый метод экспериментального определения фактора Фано в полупроводниках, основанный на зависимости амплитуды сигнала и энергетического разрешения от напряженности электрического поля в полупроводниковом детекторе с однородным полем. Показано, что коэффициенты разложения амплитуды и дисперсии сигнала по величине, обратной величине напряженности электрического поля, позволяют определить фактор Фано, произведение подвижности носителей заряда на их время жизни, и относительную дисперсию времени жизни носителей, обусловленную неоднородностью полупроводникового материала. Важным преимуществом предложенного метода является его независимость от коэффициента усиления и шумов электронного тракта.
ПодробнееЯДЕРНАЯ ФИЗИКА И ИНЖИНИРИНГ
Издательство: МАИК "Наука/Интерпериодика" (Москва)
ISSN: 2079-5629
АННОТАЦИЯ:
Полупроводниковые детекторы широко используются как в фундаментальных научных исследованиях, так и в прикладных науках. Фундаментальный предел энергетического разрешения полупроводникового детектора определяется фактором Фано, который является основной характеристикой полупроводникового материала. В настоящее время, все существующие экспериментальные методы определения Фактора Фано в полупроводниках основаны на вычитании вклада шумов электронного тракта из ширины линии регистрируемого моноэнергетического излучения. В настоящей работе предложен новый метод экспериментального определения фактора Фано в полупроводниках, основанный на зависимости амплитуды сигнала и энергетического разрешения от напряженности электрического поля в полупроводниковом детекторе с однородным полем. Показано, что коэффициенты разложения амплитуды и дисперсии сигнала по величине, обратной величине напряженности электрического поля, позволяют определить фактор Фано, произведение подвижности носителей заряда на их время жизни, и относительную дисперсию времени жизни носителей, обусловленную неоднородностью полупроводникового материала. Важным преимуществом предложенного метода является его независимость от коэффициента усиления и шумов электронного тракта.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.