ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ В СИСТЕМЕ ТI-АL-NI-АИ-N-АLGАN-GАN
14 сентября 2018
223
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ЕНИШЕРЛОВА К.Л.1, ЛЮТЦАУ А.В.1, СЕЙДМАН Л.А.2, ТЕМПЕР Э.М.1, КОНОВАЛОВ А.М.3 1 ОАО «НПП «Пульсар» 2 Институт Функциональной Ядерной Электроники (ИФЯЭ) НИЯУ МИФИ 3 ОАО «ГЗ «Пульсар |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=21050781 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. СЕРИЯ 2: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Издательство: Научно-производственное предприятие "Пульсар" (Москва)
ISSN: 2073-8250
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
ALGAN/GAN ГЕТЕРОСТРУКТУРА, ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE, КИСЛОРОДНАЯ ПЛАЗМА, OXYGEN PLASMA, ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ, OHMIC CONTACT
АННОТАЦИЯ:
Целью данной работы было исследование влияния некоторых технологических особенностей, в частности дополнительной обработки в кислородной плазме поверхностей гетероструктур АlGаN/GаN перед напылением системы металлов Тi/Аl/Ni/Аи на свойства формируемых омических контактов. Также определялось оптимальное соотношение толщин двух нижних слоёв – Тi и Аl для получения качественных омических контактов. В качестве исходных образцов использовались гетероструктуры АlGаN/GаN, выращенные методом МОСVD. Экспериментально показано, что соотношение толщин первых двух слоёв композиции Тi-Аl-Ni-Аи определяет характер реакций, которые протекают между слоями металлов в процессе отжига, и может усиливать или ослаблять взаимодействие Ti с материалом гетероструктуры с образованием слоя ТiN. Исследованиями методом РОР было показано, что обработка поверхности в О 2 плазме приводила к упорядочению структуры поверхности полупроводника и уменьшению количества точечных дефектов, при этом не происходило внедрения атомов кислорода в тончайшие поверхностные слои полупроводника. Плазменная обработка убирала также тонкий диэлектрический слой окисла Ga 2O 3 . Всё это способствовало усилению реакции Ti:Al с материалом гетероструктуры в процессе последующего отжига. Экспериментально показано, что использование кислородной плазмы приводило к снижению величины удельного контактного сопротивления.
ПодробнееЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА. СЕРИЯ 2: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
Издательство: Научно-производственное предприятие "Пульсар" (Москва)
ISSN: 2073-8250
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
ALGAN/GAN ГЕТЕРОСТРУКТУРА, ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE, КИСЛОРОДНАЯ ПЛАЗМА, OXYGEN PLASMA, ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ, OHMIC CONTACT
АННОТАЦИЯ:
Целью данной работы было исследование влияния некоторых технологических особенностей, в частности дополнительной обработки в кислородной плазме поверхностей гетероструктур АlGаN/GаN перед напылением системы металлов Тi/Аl/Ni/Аи на свойства формируемых омических контактов. Также определялось оптимальное соотношение толщин двух нижних слоёв – Тi и Аl для получения качественных омических контактов. В качестве исходных образцов использовались гетероструктуры АlGаN/GаN, выращенные методом МОСVD. Экспериментально показано, что соотношение толщин первых двух слоёв композиции Тi-Аl-Ni-Аи определяет характер реакций, которые протекают между слоями металлов в процессе отжига, и может усиливать или ослаблять взаимодействие Ti с материалом гетероструктуры с образованием слоя ТiN. Исследованиями методом РОР было показано, что обработка поверхности в О 2 плазме приводила к упорядочению структуры поверхности полупроводника и уменьшению количества точечных дефектов, при этом не происходило внедрения атомов кислорода в тончайшие поверхностные слои полупроводника. Плазменная обработка убирала также тонкий диэлектрический слой окисла Ga 2O 3 . Всё это способствовало усилению реакции Ti:Al с материалом гетероструктуры в процессе последующего отжига. Экспериментально показано, что использование кислородной плазмы приводило к снижению величины удельного контактного сопротивления.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.