ВЛИЯНИЕ РАЗОРИЕНТАЦИИ ПОДЛОЖКИ (100) GAAS НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ И МОРФОЛОГИЮ ПОВЕРХНОСТИ МЕТАМОРФНЫХ НЕМТ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР IN0.7AL0.3AS/ IN0.75GA0.25AS/IN0.7AL0.3AS
14 сентября 2018
386
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | ГАЛИЕВ Г.Б.1, ПУШКАРЁВ С.С.1,2, ВАСИЛЬЕВСКИЙ И.С.2, КЛИМОВ Е.А.1, КЛОЧКОВ А.Н.1, МАЛЬЦЕВ П.П.1 1 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия 2 Национальный исследовательский ядерный универси |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=21310694 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Издательство: Санкт-Петербургская издательско-книготорговая фирма "Наука" (Санкт-Петербург)
ISSN: 0015-3222
АННОТАЦИЯ:
Представлены результаты исследования влияния разориентации подложек (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As/GaAs с высокой подвижностью электронов. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены две одинаковые структуры со ступенчатым профилем состава метаморфного буфера InxAl1-xAs (Delta x=0.05) на двух типах подложек: на сингулярной подложке GaAs с ориентацией (100)±0.5o и разориентированной на 2±0.5o в направлении [011] подложке (100) GaAs. Обнаружено увеличение концентрации двумерного электронного газа на ~40% в случае использования разориентированной подложки. Выявленное уширение спектров фотолюминесценции и сдвиг пиков в сторону меньших энергий фотонов для случая разориентированной подложки связывается с увеличением шероховатости гетерограниц и флуктуаций ширины квантовой ямы.
ПодробнееФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Издательство: Санкт-Петербургская издательско-книготорговая фирма "Наука" (Санкт-Петербург)
ISSN: 0015-3222
АННОТАЦИЯ:
Представлены результаты исследования влияния разориентации подложек (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.75Ga0.25As/In0.7Al0.3As/GaAs с высокой подвижностью электронов. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены две одинаковые структуры со ступенчатым профилем состава метаморфного буфера InxAl1-xAs (Delta x=0.05) на двух типах подложек: на сингулярной подложке GaAs с ориентацией (100)±0.5o и разориентированной на 2±0.5o в направлении [011] подложке (100) GaAs. Обнаружено увеличение концентрации двумерного электронного газа на ~40% в случае использования разориентированной подложки. Выявленное уширение спектров фотолюминесценции и сдвиг пиков в сторону меньших энергий фотонов для случая разориентированной подложки связывается с увеличением шероховатости гетерограниц и флуктуаций ширины квантовой ямы.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.