МОДЕЛИРОВАНИЕ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР ALXGA1-XAS – INXGA1-XAS – GAAS1
14 сентября 2018
268
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | Девицкий Олег Васильевич, Сысоев Игорь Александрович |
| Ссылка на публикацию в интернете | www.ncfu.ru/uploads/doc/vestnik_skfu_3_2015.pdf |
Аннотация
В программе Silvaco TCAD выполнено моделирование электрических параметров солнечных эле-
ментов на основе AlxGa1-xAs – InxGa1-xAs – GaAs в условиях АМ 1.5 при различных значениях параме-
тра х. Показано, что солнечные элементы на основе AlxGa1-xAs – InxGa1-xAs – GaAs потенциально
имеют большую эффективность по сравнению с эффективностью обычных солнечных элементов.
Ключевые слова: наногетероструктуры, фотовольтаика, солнечная энергетика, фотоэлектри-
ческий преобразователь, солнечный элемент, Silvaco TCAD, моделирование солнечных элементов.
Подробнеементов на основе AlxGa1-xAs – InxGa1-xAs – GaAs в условиях АМ 1.5 при различных значениях параме-
тра х. Показано, что солнечные элементы на основе AlxGa1-xAs – InxGa1-xAs – GaAs потенциально
имеют большую эффективность по сравнению с эффективностью обычных солнечных элементов.
Ключевые слова: наногетероструктуры, фотовольтаика, солнечная энергетика, фотоэлектри-
ческий преобразователь, солнечный элемент, Silvaco TCAD, моделирование солнечных элементов.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.