ФОРМИРОВАНИЕ ГАЗОВОЙ ПОРИСТОСТИ В ВАНАДИЕВЫХ СПЛАВАХ V-W, V-TA, V-ZR ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ИОНАМИ ГЕЛИЯ ПРИ 650 °С

ЖУРНАЛ:


АТОМНАЯ ЭНЕРГИЯ
Издательство: Редакция журнала "Атомная энергия" (Москва)
ISSN: 0004-7163

АННОТАЦИЯ:


Методом просвечивающей электронной микроскопии изучено влияние легирования ванадия вольфрамом, танталом, цирконием на закономерности формирования гелиевой пористости и газового распухания при облучении ионами Не энергией 40 кэВ до дозы 5 1 0 20 м 2 при 650 °С. Формирование пузырьковой микроструктуры и газовое распухание ванадиевых сплавов зависят от химического и примесного состава облучаемых материалов. Установлено, что в ванадии развиваются крупные ограненные гелиевые поры, наблюдается высокое газовое распухание, причем распухание существенно выше в высокочистом ванадии. Легирование вольфрамом увеличивает, тантал почти не влияет, цирконий и его аналог титан существенно снижают распухание. Наблюдается определенная корреляция между распуханием и числом электронов, участвующих в межатомной связи в сплавах.