ИССЛЕДОВАНИЕ РЕЗИСТИВНОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В ТОНКИХ ПЛЁНКАХ HFO2/SI МЕТОДОМ КОМБИНИРОВАННОЙ СТМ/АСМ
14 сентября 2018
202
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | АНТОНОВ Д.А.1, ФИЛАТОВ Д.О.2, ГОРШКОВ О.Н.2, ДУДИН А.Ю.2, ШАРАПОВ А.Н.2, ЗЕНКЕВИЧ А.В.3, МАТВЕЕВ Ю.А.3 1 Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского 2 НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского 3 Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=21206039 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
ВЕСТНИК НИЖЕГОРОДСКОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМ. Н.И. ЛОБАЧЕВСКОГО
Издательство: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород)
ISSN: 1993-1778
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ, RESISTIVE SWITCHING, ДИОКСИД ГАФНИЯ, HAFNIUM DIOXIDE, ТУННЕЛЬНАЯ АСМ, МИГРАЦИЯ ВАКАНСИЙ КИСЛОРОДА, OXYGEN VACANCY MIGRATION, SCANNING TUNNELING MICROSCOPY (STM), TUNNELING ATOMIC FORCE MI- CROSCOPY (TUNNELING AFM)
АННОТАЦИЯ:
Методом туннельной атомно-силовой микроскопии (АСМ) в сверхвысоком вакууме (СВВ) изучены процессы резистивного переключения в сверхтонких ( 4 нм) плёнках HfO2/Si, подвергнутых отжигу в СВВ. Экспериментально продемонстрирована возможность локальной обратимой модификации элек- тропроводности плёнки HfO2 путём приложения разности электрических потенциалов между прово- дящим АСМ-зондом и Si-подложкой. Вольт-амперные характеристики структуры АСМ-зонд/HfO2/Si демонстрируют выраженный гистерезис биполярного типа, связанный с дрейфом вакансий кислорода, сгенерированных в процессе отжига в СВВ, в электрическом поле между АСМ-зондом и подложкой.
ПодробнееВЕСТНИК НИЖЕГОРОДСКОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМ. Н.И. ЛОБАЧЕВСКОГО
Издательство: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского (Нижний Новгород)
ISSN: 1993-1778
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ, RESISTIVE SWITCHING, ДИОКСИД ГАФНИЯ, HAFNIUM DIOXIDE, ТУННЕЛЬНАЯ АСМ, МИГРАЦИЯ ВАКАНСИЙ КИСЛОРОДА, OXYGEN VACANCY MIGRATION, SCANNING TUNNELING MICROSCOPY (STM), TUNNELING ATOMIC FORCE MI- CROSCOPY (TUNNELING AFM)
АННОТАЦИЯ:
Методом туннельной атомно-силовой микроскопии (АСМ) в сверхвысоком вакууме (СВВ) изучены процессы резистивного переключения в сверхтонких ( 4 нм) плёнках HfO2/Si, подвергнутых отжигу в СВВ. Экспериментально продемонстрирована возможность локальной обратимой модификации элек- тропроводности плёнки HfO2 путём приложения разности электрических потенциалов между прово- дящим АСМ-зондом и Si-подложкой. Вольт-амперные характеристики структуры АСМ-зонд/HfO2/Si демонстрируют выраженный гистерезис биполярного типа, связанный с дрейфом вакансий кислорода, сгенерированных в процессе отжига в СВВ, в электрическом поле между АСМ-зондом и подложкой.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.