К МОДЕЛИ ОБРАЗОВАНИЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ В СИСТЕМЕ SIC-ALN ПРИ МАГНЕТРОННОМ НАНЕСЕНИИ ПЛЕНОК

14 сентября 2018
227
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ХАРЛАМОВ Н.А.1, КУЗНЕЦОВ Г.Д.1, ЕВСЕЕВ В.А1, БИЛАЛОВ Б.А.2, КАРГИН Н.И.3 1 ФГОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» 2 ФГОУ ВПО «Дагестанский государственный технический университет» 3 ФГОУ ВПО «Национальный исследовате
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=22877430

Аннотация

ЖУРНАЛ:


СОВРЕМЕННЫЕ ПРОБЛЕМЫ НАУКИ И ОБРАЗОВАНИЯ
Издательство: Издательский Дом "Академия Естествознания" (Пенза)
ISSN: 2070-7428

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:


УТОЧНЕНИЕ К МОДЕЛИ ОБРАЗОВАНИЯ, AN UPDATE TO THE MODEL OF EDUCATION, ФАЗОВАЯ ДИАГРАММА, PHASE DIAGRAM, ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ, SOLID SOLUTIONS, НИТРИД АЛЮМИНИЯ, ALUMINUM NITRIDE, КАРБИД КРЕМНИЯ, SILICON CARBIDE

АННОТАЦИЯ:

Рассмотрены экспериментальные результаты по получению пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x магнетронным распылением однородной компактной мишени. Установлено, что элементный и фазовый составы плёнок могут соответствовать составу мишени. Физико-химический анализ механизма замещения атомов в катионных и анионных подрешетках при смешении атомов в квазибинарной системе SiC-AlN позволил подтвердить возможность образования непрерывного ряда твердых растворов при температурах менее 900 0С опираясь на основные представления об изоморфизме и термодинамических критериях теории смешения. Произведен расчет деформационной и электростатической составляющей параметра взаимодействия. Полученные экспериментальные и расчетные результаты дополняют и уточняют имеющиеся представления о модели образования твердых растворов в системе SiC-AlN.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.