МАГНИТОПОЛЕВАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЛОКАЛЬНОЙ ПЛОТНОСТИ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА В ВТСП ЛЕНТАХ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ
14 сентября 2018
290
Предметная область | — |
Выходные данные | — |
Ключевые слова | — |
Вид публикации | Статья |
Контактные данные автора публикации | ПОДЛИВАЕВ А.И.1, РУДНЕВ И.А.1,2, ШАБАНОВА Н.П.3 1 Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ, 115409 Россия, Москва, Каширское шоссе 31 2 Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур |
Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=22758840 |
Аннотация
ЖУРНАЛ:
КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ФИЗИКЕ ФИЗИЧЕСКОГО ИНСТИТУТА ИМ. П.Н. ЛЕБЕДЕВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Издательство: Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (Москва)
ISSN: 0455-0595
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
ВТСП ЛЕНТА, ЛОКАЛЬНЫЙ КРИТИЧЕСКИЙ ТОК, МАГНИТОПОЛЕВАЯ ЗАВИСИМОСТЬ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА, АППРОКСИМАЦИЯ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА
АННОТАЦИЯ:
Разработан экспериментально-вычислительный алгоритм прецизионного определения зависимости локальной плотности критического тока в сверхпроводящей пленке от локального значения магнитного поля. Определение проводится исходя из зависимости транспортного критического тока через широкую сверхпроводящую ленту от внешнего магнитного поля. Показано, что существующие формулы, аппроксимирующие эту зависимость, не позволяют решить данную задачу с точностью, которую обеспечивают современные экспериментальные методики. Для необходимой точности решения поставленной задачи предложена четырехпараметриче-ская аппроксимационная формула и определены параметры данной зависимости на примере ВТСП ленты второго поколения.
ПодробнееКРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ФИЗИКЕ ФИЗИЧЕСКОГО ИНСТИТУТА ИМ. П.Н. ЛЕБЕДЕВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Издательство: Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (Москва)
ISSN: 0455-0595
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
ВТСП ЛЕНТА, ЛОКАЛЬНЫЙ КРИТИЧЕСКИЙ ТОК, МАГНИТОПОЛЕВАЯ ЗАВИСИМОСТЬ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА, АППРОКСИМАЦИЯ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА
АННОТАЦИЯ:
Разработан экспериментально-вычислительный алгоритм прецизионного определения зависимости локальной плотности критического тока в сверхпроводящей пленке от локального значения магнитного поля. Определение проводится исходя из зависимости транспортного критического тока через широкую сверхпроводящую ленту от внешнего магнитного поля. Показано, что существующие формулы, аппроксимирующие эту зависимость, не позволяют решить данную задачу с точностью, которую обеспечивают современные экспериментальные методики. Для необходимой точности решения поставленной задачи предложена четырехпараметриче-ская аппроксимационная формула и определены параметры данной зависимости на примере ВТСП ленты второго поколения.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.