ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕДЕНИЯ ГЕЛИЯ И ВОДОРОДА В ВАНАДИЕВЫХ СПЛАВАХ

ЖУРНАЛ:


ЦВЕТНЫЕ МЕТАЛЛЫ
Издательство: Издательский дом "Руда и металлы" (Москва)
ISSN: 0372-2929

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:


ВАНАДИЙ, VANADIUM, ВАНАДИЕВЫЕ СПЛАВЫ, VANADIUM-BASED ALLOYS, ГЕЛИЙ, HELIUM, ВОДОРОД, HYDROGEN, ГАЗОВАЯ ПОРИСТОСТЬ, GAS POROSITY, УДЕРЖАНИЕ ВОДОРОДА, HYDROGEN RETENTION

АННОТАЦИЯ:

С использованием просвечивающего электронного микроскопа и газоанализатора модели RHEN-602 изучены особенности развития микроструктуры ванадиевых сплавов и удержания водорода в них при последовательной ионной имплантации гелия и водорода, а также насыщении водородом в автоклаве без введения радиационных дефектов в зависимости от химического состава и концентрации легирующего элемента в ванадии (сплавы V - Ti, V - Ta, V - W). Установлено, что при обоих способах введения водорода в сплавах V - Ti минимальное количество удерживаемого водорода наблюдается при концентрации титана несколько десятых % (мас.). С увеличением концентрации Ti выше 1 % (мас.) количество удерживаемого водорода существенно возрастает. Легирование ванадия танталом и вольфрамом почти в два раза снижает количество удерживаемого сплавами водорода по сравнению с захватом его ванадием. При дооблучении ионами Н образцов, имплантированных ионами Не при 290 K, из гелий-вакансионных комплексов формируется высокая плотность мельчайших пузырьков. Облучение ионами Н образцов, имплантированных ионами Не при 920 K с образованием гелиевой пористости, приводит к радиационно-стимулированному растворению некоторых и росту других пузырьков в локальных объемах образцов. При этом последовательное введение гелия и водорода при образовании гелиевой пористости приводит к возрастанию количества удерживаемого водорода. Полученные в работе результаты могут быть полезны при разработке реакторных конструкционных ванадиевых сплавов, а также при оценке возможности водородного охрупчивания ванадиевых сплавов в процессе эксплуатации в реакторных условиях.