Wavelength influence on CMOS SOS IC dose rate laser simulation efficiency . Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS 28 October 2014, Article number 6937412

14 сентября 2018
199
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Тематический материал
Контактные данные автора публикации Skorobogatov, P.K.a , Nikiforov, A.Y.b , Egorov, A.N.b , Ulanova, A.V.b , Davydov, G.G.b a NRNU MEPhI, Moscow, Russian Federation b Specialized Electronic Systems
Ссылка на публикацию в интернете www.scopus.com/record/display.url?origin=recordpage&eid=2-s2.0-84929011905&citeCnt=3&noHighlight=false&sort=plf-f&src=s&st1=MEPhI&nlo=&nlr=&nls=&sid=F0743CC1BB1CEC168410A18CB87C48A7.Vdktg6RVtMfaQJ4pNTCQ:6500&sot=b&sdt=b&sl=31&s=AFFIL(MEPhI) AND PU

Аннотация

Dose rate effects wavelength dependence under pulsed laser irradiation of typical CMOS thin-film structure is investigated. The optimal wavelength for maximum laser simulation efficiency is defined. © 2013 IEEE.



--------------------------------------------------------------------------------


Author keywords

dose rate effects; laser wavelength; SOS structure
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.