Wavelength influence on CMOS SOS IC dose rate laser simulation efficiency . Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS 28 October 2014, Article number 6937412
14 сентября 2018
251
Предметная область | — |
Выходные данные | — |
Ключевые слова | — |
Вид публикации | Тематический материал |
Контактные данные автора публикации | Skorobogatov, P.K.a , Nikiforov, A.Y.b , Egorov, A.N.b , Ulanova, A.V.b , Davydov, G.G.b a NRNU MEPhI, Moscow, Russian Federation b Specialized Electronic Systems |
Ссылка на публикацию в интернете | www.scopus.com/record/display.url?origin=recordpage&eid=2-s2.0-84929011905&citeCnt=3&noHighlight=false&sort=plf-f&src=s&st1=MEPhI&nlo=&nlr=&nls=&sid=F0743CC1BB1CEC168410A18CB87C48A7.Vdktg6RVtMfaQJ4pNTCQ:6500&sot=b&sdt=b&sl=31&s=AFFIL(MEPhI) AND PU |
Аннотация
Dose rate effects wavelength dependence under pulsed laser irradiation of typical CMOS thin-film structure is investigated. The optimal wavelength for maximum laser simulation efficiency is defined. © 2013 IEEE.
--------------------------------------------------------------------------------
Author keywords
dose rate effects; laser wavelength; SOS structure
--------------------------------------------------------------------------------
Author keywords
dose rate effects; laser wavelength; SOS structure
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.