Hopping transport in the space-charge region of p-n structures with InGaN/GaN QWs as a source of excess 1/f noise and efficiency droop in LEDs
14 сентября 2018
241
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | N. I. Bochkareva, A. M. Ivanov, A. V. Klochkov, V. S. Kogotkov, Yu. T. Rebane, M. V. Virko Y. G. Shreter |
| Ссылка на публикацию в интернете | link.springer.com/article/10.1134/S1063782615060056 |
Аннотация
Physics Of Semiconductor Devices
Semiconductors
June 2015, Volume 49, Issue 6, pp 827-835
Semiconductors
June 2015, Volume 49, Issue 6, pp 827-835
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.