Спиновой транспорт и проблемы магнитной оперативной памяти (MRAM)
14 сентября 2018
231
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | — |
| Ссылка на публикацию в интернете | www.zntc.ru/upload/medialibrary/4ab/hlz.hohprj q9.2012 - fmqoai, sxppgwc, ikqkuzqc, hbcoq.pdf |
Аннотация
В работе приведен обзор исследований микроскопических механизмов передачи вращательного момента в магнитных наноструктурах. Описаны баллистический и диффузионный механизмы передачи спинового момента и спиновая аккумуляция. Описаны процессы переключения магнитных состояний спин-поляризованным электрическим током в тонкослойных спин-вентильных магнитных наноструктурах. Приделан анализ перспективы применения спин-вентильных наноструктур в энергонезависимой памяти – магнитной оперативной памяти (MRAM) и термостимулированного МОЗУ (TA-MRAM).
ПодробнееДля того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.