Перспективы получения солнечного элемента на основе варизонных гетероструктур ALX GA1-XAS-Inx Ga1-xAs

14 сентября 2018
155
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации Девицкий Олег Васильевич, Сысоев Игорь Александрович, Касьянов Иван Владимирович
Ссылка на публикацию в интернете www.ncfu.ru/uploads/doc/vestnik_skfu_4_2015.pdf

Аннотация

В работе проведен расчет структуры двухпереходных солнечных элементов на основе варизонных гетероструктур Alx Ga1-xAs-Inx Ga1-xAs. Показано, что КПД двухпереходных варизонных солнечных элементов на основе гетероструктур Alx
Ga1-xAs-Inx Ga1-xAs может достигать 28,1 % при AM1.5. Было
исследована зависимость эффективности преобразования солнечной энергии данных солнечных элементов от времени жизни неосновных носителей заряда и толщины фотоактивных слоев. Ключевые слова: наногетероструктуры, фотовольтаика, солнечная энергетика, фотоэлектрический преобразователь, солнечный элемент, Silvaco TCAD, моделирование солнечных элементов.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.