Методика изучения образцов с помощью аналитической сканирующей электронной микроскопии

В ЦКП разработана и успешно применяется методика изучения образцов с помощью аналитической сканирующей электронной микроскопии с режимами высокого (разрешение 3,0 нм) и низкого вакуума для исследования морфологии, строения и элементного состава (от бериллия до калифорния с чувствительностью до 0,01 % массы) твердых и водонасыщенных объектов. Методика позволяет анализировать при увеличении не менее 250 000х не только тонкие особенности рельефа и скульптуры поверхности макро-, микро- и наноразмерных неорганических и органических объектов, но и получать при этом информацию об их элементном составе. Имеется возможность по быстрому переходу с режима высокого на режим низкого вакуума для электронепроводящих образцов (биологических и др.).