Проблемы проекционной фотолитографии i-line диапазона при получении СБИС с субмикронными размерами элементов

Фотолитография, являясь на сегодняшний день одной из наиболее
часто и широко используемых в микроэлектронике операций, открывает широкие
возможности для получения защитных масок с элементами субмикронного размера и в то же
время представляет собой один из наиболее сложных, противоречивых процессов в
производстве микроэлектронных компонентов. Несомненно, в связи с бурным развитием
технологии вообще, и особенно с приближением к ее физическим границам,
фотолитография претерпела значительные изменения, и многие исходные утверждения
подверглись значительным корректировкам. Также необходимо отметить, что на данный
момент только литография обеспечивает возможность массового производства ИС с
минимальными критическими размерами.