General aspects of thermal transformations in gallium nanolayers
14 сентября 2018
243
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | Суровой Э.П., Сухорукова А.А., Бин С.В. Тел.: (3842) 58-00-31. E-mail: poddub@gmail.com - Поддубиков Владимир Валерьевич, начальник научно-инновационного управления |
| Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=24004491 |
Аннотация
Методами оптической спектроскопии, микроскопии, гравиметрии исследованы превращения в наноразмерных слоях галлия в зависимости от толщины (d = 274 нм) и температуры (Т = 423873 К) термообработки. Кинетические кривые степени превращения удовлетворительно описываются в рамках линейного, обратного логарифмического, параболического и логарифмического законов. Измерена контактная разность потенциалов для пленок Ga, Ga2O3 и фото-ЭДС для систем Ga Ga2O3. Построена диаграмма энергетических зон систем Ga Ga2O3. Предложена модель термического превращения пленок Ga, включающая стадии адсорбции кислорода, перераспределения носителей заряда в контактном поле Ga Ga2O3 и формирования оксида галлия(III).
ПодробнееДля того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.