General aspects of thermal transformations in gallium nanolayers

14 сентября 2018
181
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации Суровой Э.П., Сухорукова А.А., Бин С.В. Тел.: (3842) 58-00-31. E-mail: poddub@gmail.com - Поддубиков Владимир Валерьевич, начальник научно-инновационного управления
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=24004491

Аннотация

Методами оптической спектроскопии, микроскопии, гравиметрии исследованы превращения в наноразмерных слоях галлия в зависимости от толщины (d = 2–74 нм) и температуры (Т = 423–873 К) термообработки. Кинетические кривые степени превращения удовлетворительно описываются в рамках линейного, обратного логарифмического, параболического и логарифмического законов. Измерена контактная разность потенциалов для пленок Ga, Ga2O3 и фото-ЭДС для систем Ga Ga2O3. Построена диаграмма энергетических зон систем Ga Ga2O3. Предложена модель термического превращения пленок Ga, включающая стадии адсорбции кислорода, перераспределения носителей заряда в контактном поле Ga Ga2O3 и формирования оксида галлия(III).
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.