Kinetics of photostimulated transformations in nanosized bismuth films

Методами оптической спектроскопии, гравиметрии, микроскопии установлено, что в результате облучения светом с = 360 нм и интенсивностью I = 1.8 ? 1015 7.0 ? 1015 квант см-2 с-1 спектры поглощения и отражения, масса пленок висмута (d = 3–55 нм) значительно изменяются. Показано, что кинетические кривые степени фотохимического превращения пленок висмута удовлетворительно описываются в рамках линейного, обратного логарифмического, кубического и логарифмического законов. Измерена контактная разность потенциалов для пленок Bi, Bi2O3 и фото-ЭДС систем Bi Bi2O3. Построена диаграмма энергетических зон систем Bi Bi2O3. Предложена модель, включающая стадии генерации, рекомбинации и перераспределения неравновесных носителей заряда в контактном поле системы Bi Bi2O3, адсорбции кислорода, диффузии катионных вакансий и формирования Bi2O3.