Photostimulated transformations in nanosized MoO3 films

Установлено, что при облучении пленок MoO3 толщиной (d = 5–54 нм) светом ( = 320 нм, I = (1.5–7) ? 1015 квант см-2 с-1) наряду со смещением края полосы поглощения в коротковолновую область спектра наблюдается формирование полосы поглощения при = 870 нм. Показано, что последующее облучение образцов светом = 870 нм вызывает рассасывание длинноволновой полосы поглощения. Сделан вывод, что степень превращения пленок MoO3 при увеличении интенсивности падающего света и времени облучения, а также при уменьшении толщины пленок в атмосферных условиях – возрастает. Предложен механизм фотохимического превращения пленок MoO3, включающий: генерацию электрон-дырочных пар, рекомбинацию части неравновесных носителей заряда, формирование центров [(е(Vа) е], выделение продуктов фотолиза.