Thermostimulated transformations in nanosized Bi-MoO3 systems

Методами оптической спектроскопии, микроскопии, гравиметрии исследованы превращения в наноразмерных системах Bi MoO3 в зависимости от толщины пленок Bi (d = 3–92 нм) и MoO3 (d = 5–40 нм), температуры (373–673 К) и времени термообработки. Измерена контактная разность потенциалов для пленок Bi, MoO3 и фото-ЭДС систем Bi MoO3. Построена диаграмма энергетических зон систем Bi MoO3. Предложена модель термического превращения пленок MoO3 в системах Bi MoO3, включающая перераспределение на контакте равновесных носителей заряда, формирование в процессе приготовления пленки MoO3 центра ([(Vа) ]), преобразование его при создании систем Bi MoO3 в центр ([е(Vа) ]), термический переход электрона на уровень центра [(Vа) ] с образованием центра ([е(Vа) ]).