Мощные СВЧ LDMOS импульсные транзисторы для авиационных и радарных применений
14 сентября 2018
488
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | Горохов В., Грищенко С., Дикарев В., Кожевников В., Цоцорин А. |
| Ссылка на публикацию в интернете | www.niiet.ru/images/pub/pub15.pdf |
Аннотация
В статье представлены основные эксплуатационные и электрические параметры мощных СВЧ LDMOS кремниевых транзисторов разработки ОАО «НИИЭТ», предназначенных для работы в импульсных режимах в диапазонах частот до 500 МГц (серия 2П9120) и 1030…1090 МГц (серии 2П9115 и 2П9116). В этой группе транзисторов следует особо отметить
2П9120ВС с рекордными для отечественной электронной отрасли выходными характеристиками: РВЫХ = 1200 Вт на частоте 500 МГц при КУР более 16 дБ. Описаны также некоторые особенности поведения транзисторов
в импульсном режиме
Подробнее2П9120ВС с рекордными для отечественной электронной отрасли выходными характеристиками: РВЫХ = 1200 Вт на частоте 500 МГц при КУР более 16 дБ. Описаны также некоторые особенности поведения транзисторов
в импульсном режиме
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.