Мощные СВЧ LDMOS импульсные транзисторы для авиационных и радарных применений

14 сентября 2018
219
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации Горохов В., Грищенко С., Дикарев В., Кожевников В., Цоцорин А.
Ссылка на публикацию в интернете www.niiet.ru/images/pub/pub15.pdf

Аннотация

В статье представлены основные эксплуатационные и электрические параметры мощных СВЧ LDMOS кремниевых транзисторов разработки ОАО «НИИЭТ», предназначенных для работы в импульсных режимах в диапазонах частот до 500 МГц (серия 2П9120) и 1030…1090 МГц (серии 2П9115 и 2П9116). В этой группе транзисторов следует особо отметить
2П9120ВС с рекордными для отечественной электронной отрасли выходными характеристиками: РВЫХ = 1200 Вт на частоте 500 МГц при КУР более 16 дБ. Описаны также некоторые особенности поведения транзисторов
в импульсном режиме
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.