Мощные СВЧ LDMOS-транзисторы разработки ОАО "НИИЭТ" для средств радиосвязи и радиолокации

14 сентября 2018
183
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации Горохов В., Дикарев В., Кожевников В., Цоцорин А.
Ссылка на публикацию в интернете www.niiet.ru/images/pub/pub14.pdf

Аннотация

В статье представлены конструктивно-технологические особенности и основные технические характеристики нескольких отечественных линеек мощных СВЧ LDMOS кремниевых транзисторов, созданных в ОАО «НИИЭТ». Транзисторы предназначены для работы в радиопередающей аппаратуре в Р- и L-диапазонах частот и обеспечивают уровень выходной мощности 10…300 и 10…400 Вт в непрерывном и импульсном
режимах.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.