Мощные СВЧ LDMOS-транзисторы разработки ОАО "НИИЭТ" для средств радиосвязи и радиолокации
14 сентября 2018
278
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | Горохов В., Дикарев В., Кожевников В., Цоцорин А. |
| Ссылка на публикацию в интернете | www.niiet.ru/images/pub/pub14.pdf |
Аннотация
В статье представлены конструктивно-технологические особенности и основные технические характеристики нескольких отечественных линеек мощных СВЧ LDMOS кремниевых транзисторов, созданных в ОАО «НИИЭТ». Транзисторы предназначены для работы в радиопередающей аппаратуре в Р- и L-диапазонах частот и обеспечивают уровень выходной мощности 10…300 и 10…400 Вт в непрерывном и импульсном
режимах.
Подробнеережимах.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.