Generation of Terahertz Radiation in LED Heterostructures with Multiple InGaN/GaN Quantum Wells at Two-Photon Excitation by Femtosecond
14 сентября 2018
216
Предметная область | — |
Выходные данные | — |
Ключевые слова | — |
Вид публикации | Статья |
Контактные данные автора публикации | Прудаев И.А., Саркисов С.Ю., Толбанов О.П., Кособуцкий А.В. Тел.: (3842) 58-00-31. E-mail: poddub@gmail.com - Поддубиков Владимир Валерьевич, начальник научно-инновационного управления |
Ссылка на публикацию в интернете | elibrary.ru/item.asp?id=23974145 |
Аннотация
Представлены результаты экспериментов по генерации терагерцового излучения в нитридных светодиодных структурах при оптическом возбуждении ультракороткими лазерными импульсами. Исследованы зависимости эмиссионных спектров от структурных параметров образцов и интенсивности лазерных импульсов. Установлено увеличение амплитуды и смещение частотных спектров терагерцовых импульсов в область более высоких частот с ростом числа квантовых ям в гетероструктуре.
ПодробнееДля того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.