Перспективы развития отечественных кремний-германиевых СВЧ МИС
14 сентября 2018
250
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | И.И. Мухин, В.В. Репин, И.В. Малышев |
| Ссылка на публикацию в интернете | www.mri-progress.ru/publicatsii/Тезисы для конференции Исток.pdf |
Аннотация
В докладе рассматривается состояние и перспективы разработок ВЧ и СВЧ микросхем на основе
кремний-германиевой (SiGe) технологии за рубежом и в отечественной практике. За рубежом SiGe
технология наряду с GaAs и GaN технологиями определена на перспективу как одна из основных в
производстве СВЧ ЭКБ. Из 60 фирм, занятых разработкой и изготовлением СВЧ ЭКБ около 20
поставляют SiGe МИС (из них более 10 одновременно производят и GaAs МИС). К 2018 году ежегодный
рост продаж SiGe СВЧ МИС прогнозируется в размере более 80%.
Подробнеекремний-германиевой (SiGe) технологии за рубежом и в отечественной практике. За рубежом SiGe
технология наряду с GaAs и GaN технологиями определена на перспективу как одна из основных в
производстве СВЧ ЭКБ. Из 60 фирм, занятых разработкой и изготовлением СВЧ ЭКБ около 20
поставляют SiGe МИС (из них более 10 одновременно производят и GaAs МИС). К 2018 году ежегодный
рост продаж SiGe СВЧ МИС прогнозируется в размере более 80%.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.