Оптимизация структурной схемы и разработка на ее основе МИС активного аттенюатора по SiGe технологии
14 сентября 2018
288
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | И.И. Мухин, В.В. Репин |
| Ссылка на публикацию в интернете | www.mri-progress.ru/publicatsii/Оптимизация структурной схемы.pdf |
Аннотация
В статье рассматриваются различные
варианты построения активных аттенюаторов,
выполненных в монолитном исполнении. Приводятся
данные о разработанной SiGe МИС активного
аттенюатора L- и S-диапазонов. Разработанная МИС
имеет 16 выводов, рассеиваемую мощность 0,235 Вт и
диапазон регулировки коэффициента передачи 31 дБ.
Приведены результаты моделирования, измерения и
сравнительной оценки.
Ключевые слова — дискретный аттенюатор, активная
фазированная антенная решетка, СВЧ
полупроводниковая интегральная схема, SPDT
переключатель.
Подробнееварианты построения активных аттенюаторов,
выполненных в монолитном исполнении. Приводятся
данные о разработанной SiGe МИС активного
аттенюатора L- и S-диапазонов. Разработанная МИС
имеет 16 выводов, рассеиваемую мощность 0,235 Вт и
диапазон регулировки коэффициента передачи 31 дБ.
Приведены результаты моделирования, измерения и
сравнительной оценки.
Ключевые слова — дискретный аттенюатор, активная
фазированная антенная решетка, СВЧ
полупроводниковая интегральная схема, SPDT
переключатель.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.