Диагностика и элементный, химический, глубинный профильный анализ наногетероструктур

Наряду с фотометрией оптоэлектронных приборов в НТЦ микроэлектроники РАН традиционно развивается характеризация структур различных опто- и микроэлектронных приборов на основе микро- и наноразмерных многослойных гетероструктур: инжекционных гетеролазеров, СВЧ-транзисторов, многокаскадных солнечных элементов, фотоприемников и светодиодов, включая сруктуры «белых» светодиодов на основе твердых растворов нитридов III группы.
Для выполнения таких работ НТЦ микроэлектроники располагает современным оборудованием для глубинного профильного анализа гетероструктур методами динамической вторично-ионной масс-спектрометрии (вторично-ионный микрозонд IMS-4f фирмы САМЕСА, Франция) и оже-электронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (оже- и фотоэлектронный спектрометр Multitecnique PHI-5500 фирмы PHYSICAL ELECTRONICS, США). Наличие такого оборудования обеспечивает разработку эпитаксиальных технологий формирования приборов на основе наноразмерных гетероструктур. При выполнении измерений большое внимание уделяется достоверности и воспризводимости измерений. В частности, используемые НТЦ микроэлектроники РАН методики определения распределения по глубине GaN таких электрически активных примесей, как кремний и магний, аттестованы Росстандартом Российской Федерации.