Влияние неупругих эффектов на спин-зависящий транспорт в наноструктурах

На сегодняшний день стало очевидным, что дальнейшая миниатюризация приборов и устройств современной полупроводниковой электроники приближается к технологическому пределу. Данное обстоятельство заставляет направлять усилия большого числа исследователей на поиски
альтернативы кремниевой технологии. В свою очередь, прогресс в сфере нанотехнологий (литография, молекулярно-лучевая эпитаксия, сканирующий туннельный микроскоп и т.д.) сделал возможным экспериментальное исследование транспортных характеристик систем, размеры которых составляют десятки и даже единицы ангстрем. На этих масштабах низкоразмерные системы, такие как полупроводниковые гетероструктуры с двумерным электронным газом, квантовые проволоки, точки, отдельные молекулы, атомы и их комплексы, проявляют нетривиальные проводящие свойства