Молекулярно-пучковая эпитаксия

Согласно классическому определению, МПЭ – это метод эпитаксиального выращивания твердотельных пленок в условиях сверхвысокого вакуума, при котором молекулярные или атомарные пучки направляются на монокристаллическую подложку, нагретую до определенной температуры. Метод МПЭ позволяет выращивать многокомпонентные полупроводниковые гетероструктуры в одной ростовой камере, а также легировать полупроводник. При этом толщины переходных областей – гетерограниц и границ легирования, могут быть сколь угодно малыми, вплоть до толщины одного моно слоя.