Измерение механических напряжений в кремнии методом спектроскопии комбинационного рассеяния света

Контроль локальных механических напряжений в кремниевых структурах является важной задачей при производстве микросхем. Значительные напряжения в кремнии могут привести к формированию микротрещин в чипах. Метод спектроскопии комбинационного рассеяния света (рамановской спектроскопии) становится все более популярным для анализа напряжений в полупроводниковых пластинах, так как он дает возможность проводить их неразрушающий контроль с высоким пространственным разрешением и высокой чувствительностью.

В данной работе представлены результаты измерения напряжений в микро структурированном кремнии методом рамановской спектроскопии. Использовался коммерчески доступный конфокальный рамановский микроскоп Confotec™NR500 (SOL instruments Ltd) с эшелле решеткой. Тестируемый образец содержал 1, 1.5, 2 и 4 мкм полоски из Si, разделенные 4 мкм промежутками диоксида кремния.