Квантовый транспорт в микроструктурах под воздействием переменного поля и спин-орбитального взаимодействия

Технология молекулярно-лучевой эпитаксии позволяет создавать так называемую гетероструктуру, в тонком слое которой формируется двумерный электронный газ. Двумерная система электронов удерживается на поверхности раздела между двумя различными кристаллическими полупроводниками. Наиболее часто используется для научных исследований и высоко-технологических применений модулированно-
легированная гетероструктура галлий-мышьяк/алюминий-галлий-мышьяк (GaAs/AlGaAs).