Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений

Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены и исследованы лазерные гетероструктуры: традиционные — в системе AlGaAs/GaAs и скомпенсированные фосфором — в системе AlGaAs/AlGaPAs/GaAs, излучающие на длине волны 850 нм. Изготовлены линейки лазерных диодов и исследованы их выходные характеристики. Примененная методика роста гетерослоев позволила управлять механическими напряжениями (с целью их минимизации) в лазерной гетероструктуре AlGaPAs/GaAs, благодаря этому удалось сохранить ее кривизну на уровне исходной кривизны подложки. Показано, что использование скомпенсированной гетероструктуры AlGaPAs/GaAs улучшает линейное распределение излучающих элементов в ближнем поле линеек лазерных диодов и способствует сохранению наклона ватт-амперной характеристики при высоких токах накачки благодаря однородному контакту с теплоотводом всех излучающих элементов. Радиус кривизны выращенных скомпенсированных гетероструктур оказался меньше, чем у традиционных.