Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений

14 сентября 2018
211
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации Мармалюк А.А., Ладугин М.А., Яроцкая И.В., Панарин В.А., Микаелян Г.Т.
Ссылка на публикацию в интернете www.siplus.ru/index.php?cid=173

Аннотация

Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены и исследованы лазерные гетероструктуры: традиционные — в системе AlGaAs/GaAs и скомпенсированные фосфором — в системе AlGaAs/AlGaPAs/GaAs, излучающие на длине волны 850 нм. Изготовлены линейки лазерных диодов и исследованы их выходные характеристики. Примененная методика роста гетерослоев позволила управлять механическими напряжениями (с целью их минимизации) в лазерной гетероструктуре AlGaPAs/GaAs, благодаря этому удалось сохранить ее кривизну на уровне исходной кривизны подложки. Показано, что использование скомпенсированной гетероструктуры AlGaPAs/GaAs улучшает линейное распределение излучающих элементов в ближнем поле линеек лазерных диодов и способствует сохранению наклона ватт-амперной характеристики при высоких токах накачки благодаря однородному контакту с теплоотводом всех излучающих элементов. Радиус кривизны выращенных скомпенсированных гетероструктур оказался меньше, чем у традиционных.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.