Широкополосные суперлюминесцентные диоды и полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750-800 нм
14 сентября 2018
270
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | Ильченко С.Н., Костин Ю.О., Кукушкин И.А., Ладугин М.А., Лапин П.И., Лобинцов А.А., Мармалюк А.А., Якубович С.Д. |
| Ссылка на публикацию в интернете | www.siplus.ru/index.php?cid=172&pid=5064&sort=565u |
Аннотация
Исследованы суперлюминесцентные диоды (СЛД) и полупроводниковые оптические усилители (ПОУ) на основе однослойной квантоворазмерной структуры в системе (AlxGa1-x)As/GaAs с концентрацией Al x~0.1 в активном слое толщиной 10 нм. В зависимости от длины активного канала СЛД непрерывная выходная мощность излучения через одномодовый волоконный световод составляла 1 — 30 мВт при ширине спектра около 50 нм. Полоса оптического усиления в активном канале превышала 40 нм. Предварительные ресурсные испытания продемонстрировали достаточно высокую надежность этих приборов.
ПодробнееДля того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.