Усиление терагерцевого излучения на переходах между лестницами Ванье-Штарка в сверхрешетках со слабыми барьерами

На основе экспериментальных и численных исследований транспортных свойств и волновых функций электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs со слабыми барьерами в сильном электрическом поле продемонстрирована возможность получения перестраиваемого приложенным напряжением терагерцевого лазерного излучения на переходах между лестницами Ванье — Штарка. Рассчитанный коэффициент усиления может достигать 500 см-1, что в несколько раз больше, чем в существующих квантовых каскадных лазерах терагерцевого диапазона. Это позволяет надеяться на возможность осуществления лазерного излучения в простой полосковой n — сверхрешетка — n -структуре. Такие лазеры, благодаря возможности широкой перестройки и простоте используемых в них сверхрешеток, вполне могли бы конкурировать с каскадными лазерами.