Усиление терагерцевого излучения на переходах между лестницами Ванье-Штарка в сверхрешетках со слабыми барьерами
14 сентября 2018
311
Предметная область | — |
Выходные данные | — |
Ключевые слова | — |
Вид публикации | Статья |
Контактные данные автора публикации | — |
Ссылка на публикацию в интернете | www.siplus.ru/index.php?cid=171&pid=5063&sort=555u |
Аннотация
На основе экспериментальных и численных исследований транспортных свойств и волновых функций электронов в сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs со слабыми барьерами в сильном электрическом поле продемонстрирована возможность получения перестраиваемого приложенным напряжением терагерцевого лазерного излучения на переходах между лестницами Ванье — Штарка. Рассчитанный коэффициент усиления может достигать 500 см-1, что в несколько раз больше, чем в существующих квантовых каскадных лазерах терагерцевого диапазона. Это позволяет надеяться на возможность осуществления лазерного излучения в простой полосковой n — сверхрешетка — n -структуре. Такие лазеры, благодаря возможности широкой перестройки и простоте используемых в них сверхрешеток, вполне могли бы конкурировать с каскадными лазерами.
ПодробнееДля того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.