Предметная область | — |
Выходные данные | — |
Ключевые слова | — |
Вид публикации | Тематический материал |
Контактные данные автора публикации | — |
Ссылка на публикацию в интернете | www.iapras.ru/science/las_phys/las_phys4.html |
Аннотация
Последнее десятилетие благодаря бурному развитию диодной накачки ознаменовано существенным прогрессом в области лазеров с одновременно высокой средней и пиковой мощностью. Главные проблемы на пути развития таких лазеров связаны с разрушением их активных элементов при большом тепловыделении и оптическом пробое, ухудшением качества лазерного пучка из-за термонаведенных искажений и деполяризации, а также со снижением эффективности использования энергии накачки из-за усиленного спонтанного излучения и паразитной генерации. Исследования, проводимые в ИПФ РАН, направлены на разработку методов подавления паразитных эффектов и создания лазеров с высокой средней и пиковой мощностью в видимом, ближнем и среднем ИК-диапазонах. Заметные успехи достигнуты также в разработке отдельных критически важных элементов мощных лазерных систем.
ПодробнееДля того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.