Влияние структурных параметров на пробивные напряжения U-MOSFET транзистора
14 сентября 2018
375
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Статья |
| Контактные данные автора публикации | — |
| Ссылка на публикацию в интернете | inme-ras.ru/rus/about/publications/detail.php?id=753 |
Аннотация
А.М. Мумляков, И.Б. Варлашов. Влияние структурных параметров на пробивные напряжения U-MOSFET транзистора// Радиоэлектроника, электротехника и энергетика – 2016. 22-я международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов. Тезисы докладов. – М.: Издательский дом МЭИ, 2016
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.