Универсальный кристалл к датчикам расхода газа

Конструктивно-технологической основой сенсора является многослойная термокомпенсированная диэлектрическая мембрана на кремниевой рамке-основании. Чередующиеся слои двуокиси кремния, нитрида кремния и поликремния, оптимизированные по толщинам, последовательности и количеству, формируются методами термического окисления и пиролитического нанесения. Принцип действия датчика основан на преобразовании сигнала, формируемого под воздействием теплообмена протекающего потока с системой металлических проводников на кремниевой мембране в электрический сигнал с нормированными характеристиками - принцип термоэлектрической регистрации. Датчик может работать как в термоанемометрическом, так и в калориметрическом режимах.