Высокочистые летучие неорганические гидриды для микро- и оптоэлектроники
14 сентября 2018
407
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Тематический материал |
| Контактные данные автора публикации | — |
| Ссылка на публикацию в интернете | www.ihps.nnov.ru/psvlng.html |
Аннотация
Высокочистые SiH4, SiH2Cl2, SiHCl3, GeH4, H2Se, H2S с содержанием примесей металлов 1-10 ppb wt.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.