Высокочистые эпитаксиальные слои твердых растворов Cd-Hg-Te
14 сентября 2018
280
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Тематический материал |
| Контактные данные автора публикации | — |
| Ссылка на публикацию в интернете | www.ihps.nnov.ru/psestr.html |
Аннотация
Эпитаксиальные слои высокочистого CdxHg1-xTe на подложках из полуизолирующего GaAs.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.