Применение атомно-силовой микроскопии для исследования поверхности фоторезисторов на основе PbS
14 сентября 2018
323
| Предметная область | — |
| Выходные данные | — |
| Ключевые слова | — |
| Вид публикации | Тематический материал |
| Контактные данные автора публикации | — |
| Ссылка на публикацию в интернете | inme-ras.ru/rus/about/publications/detail.php?id=736 |
Аннотация
И.Н.Мирошникова, Х.С.Мохамед, Е.В.Зенова, А.М.Тагаченков, и др. Применение атомно-силовой микроскопии для исследования поверхности фоторезисторов на основе PbS//Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах (метрология, диагностика, технология, учебный процесс): Материалы докладов научно-методического семинара (Москва 28-30 11. 2011 г.) М: МНТОРЭС им. А.С. Попова, НИУ «МЭИ», 2012.- 229с., стр. 140-146.
ПодробнееДля того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.