Совершенные тонкие пленки нитрида алюминия

Нитрид алюминия имеет большой потенциал для полупроводниковых технологий будущего.Основным препятствием для его промышленного применения является дороговизна синтеза как объемных кристаллов, так и высококачественных тонких пленок этого соединения. Разработанный научным коллективом ИК РАН передовой метод позволяет решить обе эти проблемы. Суть метода получения тонких пленок AlN состоит в нанесение пленок алюминия на сапфировые подложки и последующем отжиге пленок в атмосфере азота. В работе исследованы различные режимы получения и предложены оптимальные параметры проведения процесса для получения высококачественных пленок нитрида алюминия.