Диагностика солнечных элементов в зондовой нанолаборатории Интегра Спектра. А. В. Анкудинов

Ниже рассмотрен пример применения зондовой нанолаборатории (ЗНЛ) Интегра Спектра для исследования МП СЭ на основе GaInP2/GaAs/Ge гетероструктуры с тремя p-n переходами, общим количеством слоёв более 20 и толщинами отдельных слоёв менее 20 nm, см. рис. 1. Методом сканирующей Кельвин зонд микроскопии (СКЗМ) измерялись вариации профиля поверхностного потенциала на сколе (поперечном разрезе) СЭ в зависимости от интенсивности, длины волны и положения пятна возбуждающего лазера. Согласно схеме слоев на рис. 1, между p-n переходами соседних субэлементов на основе GaAs и GaInP2 расстояние меньше микрона. Возможность контролировать реакцию (изменения потенциала) от отдельного субэлемента реализовывалась с помощью фокусировки возбуждающего лазера в пятно субмикронного размера (в лазерном конфокальном микроскопе, интегрированном в ЗНЛ Интегра Спектра, использовался объектив с числовой апертурой 0.7).
Ключевые слова: сканирующий зондовый микроскоп, атомно-силовой микроскоп, спектроскопия, АСМ, СЗМ, SPM, AFM, NTEGRA SPECTRA