Исследование формирования микрорельефа на поверхностях кристаллов ZnSe и CdSe при абляции излучением эксимерного KrF-лазера

14 сентября 2018
453
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации
Ссылка на публикацию в интернете www.optosystems.ru/wp-content/uploads/2016/07/Исследование-формирования-микрорельефа-на-поверхностях-кристаллов-ZNSe-и-CdSe-при-абляции-излучением-эксимерного-KrF-лазера.pdf

Аннотация

На поверхностях кристаллов CdSe и ZnSe были сформированы одномерные решетки с периодом 0.5 – 2.3 мкм при абляции
двумя интерферирующими пучками излучения наносекундного эксимерного KrF-лазера. Исследованы зависимости
формы и глубины решетки от плотности энергии при облучении одиночным импульсом, а также от числа импульсов
при заданной плотности энергии. Максимальная глубина решетки составила ~0.57 периода. Путем нанесения одномерной решетки с периодом 1.5 мкм и глубиной 0.53 мкм на поверхность кристалла CdSe получено просветление этой
поверхности на длине волны 4 мкм. Отражение от поверхности уменьшилось на 88%. Продемонстрирована возможность
нанесения двумерных решеток с периодами 1 и 1.5 мкм.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.