AdMOS- разработчик MOS моделирования и программного обеспечения мирового уровня для производства полупроводников .
11 ноября 2019
684
Предметная область | |
Выходные данные | сайт ООО Интермера 07.11.2019 |
Ключевые слова | Имитационные модели MOS, PSP. Полупроводники. Транзисторы CMOS, HVMOS, OTFT, HEMT, BJT |
Вид публикации | Тематический материал |
Контактные данные автора публикации | Светлана Александровна , (495) 941-04-34, vitalig77@gmail.com |
Ссылка на публикацию в интернете | intermera.ru/files/docs/AdMOS_2019.pdf |
Аннотация
AdMOS использует современное программное обеспечение для трехмерного моделирования и анализа компонентов. В лаборатории компании определяются характеристики компонентов во временной и частотной областях. Инженеры компании являются экспертами по полному системному моделированию, проектированию и могут подготовить технико-экономическое обоснование.
Предоставляются следующие услуги моделирования:
-полные библиотеки устройств, основанные на новейших имитационных моделях, которые содержат все статистические эффекты, необходимые для эффективного применения в аналоговых и цифровых схемах;
-все необходимые измерения на полупроводниковых пластинах диаметром до 300 мм;
-модели для RF MEMS и датчиков;
-моделирование радиочастотных эффектов на основе S-параметров, шумовых и нелинейных характеристик;
-влияние старения и эффектов деградации, SOA и многое другое;
-библиотеки моделирования и связанная с ними документация составляются в требуемых для заказчика форматах, которые обеспечивают легкую интеграцию в проектировочные решения клиентов.
Инженеры компании по запросу проводят обучающие семинары на территории заказчика и в штаб-квартире в Германии по основным направлениям деятельности компании.
ПодробнееПредоставляются следующие услуги моделирования:
-полные библиотеки устройств, основанные на новейших имитационных моделях, которые содержат все статистические эффекты, необходимые для эффективного применения в аналоговых и цифровых схемах;
-все необходимые измерения на полупроводниковых пластинах диаметром до 300 мм;
-модели для RF MEMS и датчиков;
-моделирование радиочастотных эффектов на основе S-параметров, шумовых и нелинейных характеристик;
-влияние старения и эффектов деградации, SOA и многое другое;
-библиотеки моделирования и связанная с ними документация составляются в требуемых для заказчика форматах, которые обеспечивают легкую интеграцию в проектировочные решения клиентов.
Инженеры компании по запросу проводят обучающие семинары на территории заказчика и в штаб-квартире в Германии по основным направлениям деятельности компании.
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.