ФОТОРЕЗИСТОР БЛИЖНЕГО УФ-ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЁНКИ ZNO

14 сентября 2018
219
Предметная область
Выходные данные
Ключевые слова
Вид публикации Статья
Контактные данные автора публикации ПТАШНИК В.В., ЗАМБУРГ Е.Г., ВАРЗАРЕВ Ю.Н., ДЖУПЛИН В.Н., ШОРНИКОВ Р.С
Ссылка на публикацию в интернете elibrary.ru/item.asp?id=18318823

Аннотация

Детектирование и анализ УФ спектра является важной задачей для космической отрасли, в связи с чем интерес к широкозонным материалам растёт. Проведена работа по изготовлению макета фоторезистора ближнего УФ диапазона на основе нанокристаллической плёнки ZnO, методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО). В ходе эксперимента измерены темновой и световой токи, рассчитаны тангенсы углов наклона ВАХ темнового и светового токов, рассчитан фототок и интегральная чувствительность фоторезистора. Представлен график токовременной характеристики снятой с фоторезистора под воздействием УФ, выявлена низкая скорость роста тока и длительный период спада тока. Представлен график импульсного режима работы фоторезистора при постоянном воздействии УФ, а также сделан вывод, что данный режим является оптимальным режимом работы для данного фоторезистора.
Подробнее
Для того чтобы оставить комментарий необходимо авторизоваться.