Установка для изучения p-n перехода
14 сентября 2018
298
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Томская область, Томск |
| Страна производства | РФ |
| Год производства | 2003 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | до 50 т.р |
| Стоимость предоставления услуг | от 6 000 руб. |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Позволяет изучить основные принципы работы полупроводниковых диодов, получить прямую и обратную ветви вольт - амперной характеристики диода, сделать вывод о возможности применения p-n перехода в выпрямительных схемах. Оцениваются основные параметры перехода - ток насыщения и потенциальный барьер перехода.