Комплекс оборудования для дооснащения сканирующего автоэмиссионного электронного микроскопа TESCAN MIRA 3 LMU в составе: система анализа структуры и фазового состава HKL Premium EBSD System на основе детектора Nordlys II F для регистрации дифракционных к
14 сентября 2018
629
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | Великобритания |
| Год производства | 2011 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
| Стоимость предоставления услуг | договорная |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Система активного подавления переменного электромагнитного поля SC22, входящая в комплекс оборудования для дооснащения сканирующего автоэмиссионного электронного микроскопа TESCAN MIRA 3 LMU, позволяет значительно улучшать качество получаемых на электронном микроскопе изображений поверхности.
Система анализа структуры и фазового состава HKL Premium EBSD System на основе детектора Nordlys II F для регистрации дифракционных картин обратно-отраженных электронов позволяет проводить структурный анализ поверхности с получением карт ориентации кристаллов, направления текстуры, типа и параметров кристаллической решетки при исследовании и контроле исходного состояния материала и после проведенного поверхностного модифицирования
Система анализа структуры и фазового состава HKL Premium EBSD System на основе детектора Nordlys II F для регистрации дифракционных картин обратно-отраженных электронов позволяет проводить структурный анализ поверхности с получением карт ориентации кристаллов, направления текстуры, типа и параметров кристаллической решетки при исследовании и контроле исходного состояния материала и после проведенного поверхностного модифицирования