Многофункциональная автоматизированная система для измерения электрофизических параметров полупроводников (ASEC-03) методами Q-DLTS, C-V, I-V
14 сентября 2018
1007
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
| Страна производства | РФ |
| Год производства | 2013 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
| Стоимость предоставления услуг | договорная |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Система ASEC обеспечивает измерения энергетического спектра глубоких уровней зарядовым релаксационным методом (Q-DLTS), вольт-емкостных (C-V) и вольт-амперных (I-V) характеристик для определения электрических и фотоэлектрических параметров полупроводников, диэлектриков и гетероструктур на их основе. ASEC должна использовать методы, основанные на измерении релаксации электрофизических параметров исследуемых материалов к равновесному состоянию при возбуждении носителей заряда в них как электрическими, так и оптическими импульсами.
ASEC обеспечивает измерение:
• спектра и концентрации глубоких уровней, индуцированных дефектами различной природы;
• энергии активации и сечения захвата объемных и поверхностных ловушек;
• спектра поверхностных состояний;
• емкости, проводимости, диэлектрической проницаемости;
• тока утечки;
• концентрации и профиля легирования мелкими примесями;
• кинетики фотонапряжения и фототока при различной интенсивности импульсного освещения
ASEC обеспечивает измерение:
• спектра и концентрации глубоких уровней, индуцированных дефектами различной природы;
• энергии активации и сечения захвата объемных и поверхностных ловушек;
• спектра поверхностных состояний;
• емкости, проводимости, диэлектрической проницаемости;
• тока утечки;
• концентрации и профиля легирования мелкими примесями;
• кинетики фотонапряжения и фототока при различной интенсивности импульсного освещения