Автоматизированная опытная установка реактивного импульсного лазерного осаждения тонкопленочных слоев сульфидов (разработка лаборатории НИЯУ МИФИ)
14 сентября 2018
589
Классификация оборудования | |
Страна, регион, город | Российская Федерация, Москва |
Страна производства | РФ |
Год производства | 2009 |
Предоставляемое количество | 1 |
Условия использования | |
Стоимостная группа | от 500 тыс. до 1 млн. руб. |
Стоимость предоставления услуг | от 50 000 руб. |
Регламент предоставления услуги | — |
Объект коллективного пользования | Нет |
Наличие аккредитации | Нет |
Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Синтез и исследование новых материалов и структур для приложений в наноэлектронике и фотовольтаике. Требования к образцам и инфраструктуре. Размер образцов: до 15×15 мм; 3-х фазное питание 380 В; оборотная вода для охлаждения лазера.
Методы. Реактивное импульсное лазерное осаждение.
Область применения. Синтез и исследование новых материалов и структур для приложений в наноэлектронике и фотовольтаике.
Получаемые образцы. Изготовлены тонкопленочные образцы, в том числе: SmS, EuS, CdCr2S4, CuS, Cu2ZnSnS4.
Методы. Реактивное импульсное лазерное осаждение.
Область применения. Синтез и исследование новых материалов и структур для приложений в наноэлектронике и фотовольтаике.
Получаемые образцы. Изготовлены тонкопленочные образцы, в том числе: SmS, EuS, CdCr2S4, CuS, Cu2ZnSnS4.