Сверхвысоковакуумный сканирующи туннельный микроскоп GPI-300

Комплекс позволяет после-довательно исследовать об-разец различными физиче-скими методами, произво-дить технологические обра-ботки, снова исследовать образец и т.д. При этом об-разец никогда не покидает условий СВВ. Исследования методом ДБОЭ могут про-водиться во время техноло-гических процессов (in situ). Поскольку образец не поки-дает условий СВВ, его ис-следования методом СТМ до и после обработок проводят-ся с атомным разрешением. Качество СТМ столь высо-ко, что атомное разрешение реализуется как на гладкой поверхности образца (на-пример, на чистой поверх-ности монокристаллическо-го Si или Ge), так и при ис-следовании объектов с вы-сокой шероховатостью, та-ких как массивы квантовых точек или нанокристалличе-ские пленки кремния или силицидов металлов.