Установка электрохимического профилирования полупроводниковых материалов (эпитаксиальных структур) ECVPro
14 сентября 2018
328
Классификация оборудования | |
Страна, регион, город | Российская Федерация, Санкт-Петербург |
Страна производства | Япония |
Год производства | 2010 |
Предоставляемое количество | 1 |
Условия использования | |
Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
Стоимость предоставления услуг | договорная |
Регламент предоставления услуги | — |
Объект коллективного пользования | Нет |
Наличие аккредитации | Нет |
Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Исследование распределения концентрации основных носителей заряда по глубине в полупроводниковых пластинах с эпитаксиальными слоями, содержащих гетероструктуры на основе Si, полупроводников A3B5, GaN, SiC и др.