Установка электрохимического профилирования полупроводниковых материалов (эпитаксиальных структур) ECVPro
14 сентября 2018
568
| Классификация оборудования | |
| Страна, регион, город | Российская Федерация, Санкт-Петербург |
| Страна производства | Япония |
| Год производства | 2010 |
| Предоставляемое количество | 1 |
| Условия использования | |
| Стоимостная группа | от 1 до 10 млн. руб. |
| Стоимость предоставления услуг | договорная |
| Регламент предоставления услуги | — |
| Объект коллективного пользования | Нет |
| Наличие аккредитации | Нет |
| Наличие ГОСТированной методики | Нет |
Описание
Исследование распределения концентрации основных носителей заряда по глубине в полупроводниковых пластинах с эпитаксиальными слоями, содержащих гетероструктуры на основе Si, полупроводников A3B5, GaN, SiC и др.